Научный руководитель: заведующий кафедрой нанотехнологий и
микросистемной техники физико-математического института ПГНИУ,
д.ф.-м.н, профессор, А.Б. Волынцев
Название доклада: Физико-химические особенности реактивного ионного
травления тонкопленочного ниобата лития во фторсодержащей плазме
Научная специальность: 1.3.8. Физика конденсированного состояния
Аннотация:
Работа посвящена изучению физико-химических особенностей процесса
реактивного ионного травления (РИТ) тонкопленочного ниобата лития в
плазме газовой смеси SF6/Ar. Данный процесс применяется в качестве
ключевого этапа технологии формирования высококонтрастных канальных
волноводов фотонных интегральных схем.
В работе представлена новая качественная физико-химическая модель,
позволяющая описать влияние параметров процесса РИТ (давление в
вакуумной камере, мощности на источниках плазмы, состав газовой смеси)
и реальной структуры кристалла тонкопленочного ниобата лития
(дислокационная структура, точечные дефекты после процесса протонного
обмена) на кинетику процесса РИТ. Также, в рамках настоящей работы
представлены результаты экспериментального исследования процесса РИТ
тонкопленочного НЛ, представляющие собой валидацию основных положений
представленной модели. В частности, впервые представлено теоретическое
и экспериментальное исследование процесса вторичной конденсации
нелетучего продукта травления LiF на поверхность ниобата лития в
процессе РИТ. Изучение данной особенности является крайне важным с
прикладной точки зрения, так как рост пористой пленки LiF на
обрабатываемой поверхности приводит к необратимой деградации
поверхности тонкопленочного НЛ и делает невозможным его использование
для задач изготовления фотонных интегральных схем.